>
Fa
|
Ar
|
En
مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال:1400 - دوره:18 - شماره:1
بررسی اثر ضخامت لایه تجمع بار در یک مدولاتور جذبی مبتنی بر ماده با خواص ضریب گذردهی نزدیک صفر
- صفحه:59-64
بررسی و شبیه‌سازی تاثیر میزان غلظت ناخالصی زیرلایه بر زمان تاخیر کلیدزنی در ترانزیستورهای اثر میدان utbb 22nm سیلیکون روی عایق دولایه
- صفحه:37-43
بهبود عملکرد دیود اثرمیدانی به منظور کاربرد درتکنولوژی نانو
- صفحه:1-8
تاثیر ترانزیستورهای dtmos بر عملکرد یک سلول حافظه cam سه‌ارزشی مبتنی بر ممریستور در کاربردهای توان‌پایین
- صفحه:17-28
ساخت زیست‌حسگر مقاومتی باکتری ای کولای بر اساس نانومیله‌ها و نانوذرات اکسید روی
- صفحه:93-100
طراحی حافظه مغناطیسی توان پایین در حضور تغییرات فرایند ساخت
- صفحه:51-58
طراحی و شبیه سازی حسگر فشار مبتنی بر یک تیغه بلور فوتونی دو بعدی از جنس pbmoo4
- صفحه:109-116
طراحی و شبیه سازی ساختار فیلتر نوری فلز- عایق - فلز برپایه رینگ شکاف دار پلاسمونیکی
- صفحه:65-69
طراحی و شبیه سازی یک واحد حساب و منطق 64×64 بیتی با سرعت کلاک 2 گیگا هرتز در تکنولوژی 130 نانومتر
- صفحه:81-91
طراحی و شبیه‌سازی حسگر دمای بلور فوتونی حساسیت بالا مبتنی بر کاواک پر شده با آب مقطر
- صفحه:101-108
طراحی و شبیه‌سازی یک سوئیچ خازنیِ موازیِ rf mems با ولتاژ تحریک کم، تلفات پایین و ایزولاسیون بالا
- صفحه:29-35
معرفی ساختارهای جدید برای لچ و فلیپ فلاپ نوع d در تکنولوژی اتواناتای سلولی نقطه‌ای کوانتومی و استفاده از آن در مدارهای آشکارساز فاز-فرکانس، تقسیم کننده فرکانسی و شمارنده
- صفحه:71-80
مقایسه جریان ناشی از تابش اشعه فرابنفش بر دیود نوری pin سیلیکونی و گالیوم آرسنایدی
- صفحه:45-50
یکسوکنندگی در نانو دیود خودسوئیچ گرافنی با استفاده از آلایش گیت های جانبی
- صفحه:9-16
Copyright 2023
Islamic World Science Citation Center
All Rights Reserved
