یکسوکنندگی در نانو دیود خودسوئیچ گرافنی با استفاده از آلایش گیت های جانبی

خواص الکترونیکی و رفتار یکسوسازی دیودهای خود سوئیچ گرافنی با آلایش گیت های جانبی با اتم های نیتروژن و بور، با استفاده از روش تنگ بست تابعی چگالی، مورد بررسی قرار گرفت. آلایش گیت های ادوات، سبب تغییر هدایت الکتریکی نانو نوار گرافنی گیت ها و کانال نیمه هادی می گردد. در نتیجه، اندازه ولتاژ آستانه بایاس مستقیم به میزان قابل ملاحظه ای کاهش یافته، به صورتی که در ساختارهای 565 آلایش یافته با اتم های بور و نیتروژن، این ولتاژ نزدیک به صفر است. همچنین، جریان الکتریکی عبوری در بایاس مستقیم و معکوس ادوات آلایش یافته، نسبت به ساختار غیر آلائیده، به ترتیب افزایش و کاهش یافته است. در بین همه ساختارها، ساختار 565 آلایش یافته با اتم های بور، دارای بیشترین نسبت یکسوسازی به میزان 558.55 است و ماکزیمم جریان عبوری در بایاس مستقیم در محدوده بایاس اعمالی نیز مربوط به این ساختار، به مقدار μa 8.56 است.

rectification in graphene self-switching nanodiode using side gates doping

the electrical properties and rectification behavior of the graphene self-switching diodes by side gates doping with nitrogen and boron atoms were investigated using density functional tight-binding method. the devices gates doping changes the electrical conductivity of the side gates and the semiconductor channel nanoribbons. as a result, the threshold voltage value under the forward bias is significantly reduced, so that in the boron and nitrogen doped 565 structures, this voltage is close to zero. also, relative to the undoped structure, the electric current under the forward and reverse biases of the doped devices are increased and decreased, respectively. among all the structures, the boron atoms doped 565 structure has the highest rectification ratio of 558.58 and also, the maximum current under the forward bias is related to this structure with the value of 8.56 μa.