بهبود عملکرد دیود اثرمیدانی به منظور کاربرد درتکنولوژی نانو

یکی از مشکلات اصلی دیودهای اثر میدانی(fed)، افزایش جریان خاموشی ان با کاهش طول کانال می باشد. از این رو در این مقاله ساختار جدیدی ارائه شده است که با کاهش سطح اشتراک کانال با نواحی سورس و درین و بدون نیاز به مخازن ها میزان تزریق حامل های اضافی به کانال کاهش یافته و کنترل گیت بر کانال افزایش می یابد. با تکنیک به کار رفته و بدون نیاز به مخازن ها حجم نواحی سورس و درین نسبت به ساختار دیوداثرمیدانی با اتصال جانبی(s-fed) افزایش یافته و موجب بهبود جریان روشن می شود از این رو با مقایسه ساختار ارائه شده و s-fed نشان داده می شود که پارامترهای مهمی همچون جریان روشن، نسبت جریان روشن به خاموش ، تاخیر گیت و حاصلضرب انرژی درتاخیرگیت بهبود بخشیده شده است و لذا ساختار ارائه شده می تواند جایگزین مناسبی برای ساختار های متداول باشد.

performance improvement of field effect diodes (fed) for nanotechnology

one of the main problems of field effect diode (fed) is the increasing of its turn-off current as the channel length decreases. thus, in this paper, a new structure is presented which decreases the injection of extra carriers to the channel and also increases the control of the gate over the channel by reducing the portion of channel shared with the source and drain regions and without the need for reservoirs. using this technique and without the need for the reservoirs, the source and drain regions increase in size compared to the s-fed structure, and turn-on current is enhanced. therefore, by comparing the proposed structure with s-fed, it is demonstrated that the important parameters such as ion, ion / ioff ratio, gate delay, and edp have been improved, and this structure can be a proper alternative to conventional structures