>
Fa
|
Ar
|
En
مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال:1398 - دوره:16 - شماره:2
ارائه ی مدل مداری جدید برای پارامترهای معادلات سلول عصبی هاجکینگ هاکسلی با توان پایین
- صفحه:113-119
بدست آوردن رابطه‌ی ولتاژ آستانه در ماسفت‌های سیلیکون روی الماس با طول کانال 22 نانومتر و یک لایه عایق اضافی
- صفحه:57-64
تقویت‌کننده کم‌نویز فرا پهن باند جدید با قابلیت کنترل بهره به‌صورت پیوسته
- صفحه:47-55
رشد میکرومتری نانوصفحه‌های شش‌ضلعی هسته مشترک پنتاکسید وانادیم به‌عنوان ماده فعال الکترود کاتد باتری یون لیتیم
- صفحه:25-30
ساخت آشکارساز نوری فرابنفش با استفاده از نانوساختارهای اکسید روی با ناخالصی کلسیم به روش سل- ژل
- صفحه:17-23
ساختار جدید از یک مقایسه گر تحمل پذیر خطا
- صفحه:93-99
شبیه سازی جامع مدل دو دیود سلول های خورشیدی در محیط simpowersystems به صورت توابع صریح ریاضی
- صفحه:77-86
طراحی سلول خورشیدی دو پیوندی ingap/gaas بدون لایه arc با بازده بالا
- صفحه:87-92
طراحی و شبیه سازی حسگر گاز نوین حساسیت بالا مبتنی بر بلور فوتونی با ضریب شکست منفی
- صفحه:9-15
طراحی یک تقویت‌کننده توان فرکانس رادیویی یکپارچه باند x مبتنی بر فنّاوری algan/gan hemt
- صفحه:37-45
فیلتر میان گذر قابل تنظیم مبتنی بر گرافین در باند فرکانسی تراهرتز
- صفحه:31-36
کاهش سخت‌افزار و توان نویز کوانتیزه در مدولاتورهای دلتا-سیگمای دیجیتال و پیاده سازی توسط زبان توصیف سخت‌افزار vhdl
- صفحه:101-112
مدل‌سازی و شبیه‌سازی ترانزیستور تک‌الکترونی با جزیره مولکولی
- صفحه:65-75
مطالعه ی اثر رطوبت بر خصوصیات حسگری گاز دی اکسید کربن نانوسیم های اکسید روی حمایت شده بوسیله ی شبکه ی پلی وینیل الکل در دمای اتاق
- صفحه:1-7
Copyright 2023
Islamic World Science Citation Center
All Rights Reserved
