ارائه ی مدل مداری جدید برای پارامترهای معادلات سلول عصبی هاجکینگ هاکسلی با توان پایین

در این مقاله، توابع α و β و متغیرهای گیت مربوط به معادلات متغیرهای گیت سلول عصبی هاجکینگ هاکسلی بررسی می شود. متغیرهای گیت سلول عصبی هاجکینگ هاکسلی، نرخ باز و بسته شدن یون های کلسیم و پتاسیم را نشان می دهد. توابع متغیر α و β، توابعی نمایی بر حسب پتانسیل پوسته u می باشند که توسط هاجکینگ و هاکسلی برای تنظیم و تطبیق معادلات مربوط به سلول عصبی به طور تجربی بدست آمده اند. در این مقاله، این معادلات توسط ترانزیستور fgmos طراحی شده اند که هزینه، پیچیدگی، ولتاژ و توان کمتر را به دنبال دارد. این ترانزیستورها در ناحیه ی زیرآستانه دارای ولتاژ و توان بسیار پایین هستند، از این رو توان مصرفی مدارهای پیشنهادی بسیار پایین می باشد. شبیه سازی توسط نرم افزار hspice با تکنولوژی 0.18 میکرومتر انجام شده است و مساحت اشغال شده ی سیلیکون برای مدار متغیر های گیت طراحی شده برابر 115µm×60µm می باشد.

A new circuit model for the Parameters in equations of low power Hodgkin-Huxley neuron cell

In this paper, α and β parameters and gating variables equations of HodgkinHuxley neuron cell have been studied. Gating variables show opening and closing rate of ion flow of calcium and potassium in neuron cell. Variable functions α and β, are exponential functions in terms of u potential that have been obtained by Hodgkin and Huxley experimentally to adjust the equations of neural cells. In this study, using FGMOS transistors to model these equations has been reduced cost, complexity, voltage and power. The transistors work in the sub threshold region, hence the proposed circuit consumes less power. Hspice simulation software with 0.18 µ technology has been carried out and silicon area for the designed circuit of gating variables is 115 µm times;60 µm.