بررسی خواص الکتریکی AC وDC و مورفولوژی نانو ساختارهای Al/TiO2/PSi/Al
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
عظیم عراقی محمداسماعیل ,خلیلی درمانی انسیه
|
|
منبع
|
علوم دانشگاه خوارزمي - 1392 - دوره : 13 - شماره : 2 - صفحه:295 -304
|
|
چکیده
|
در این تحقیق لایه‌های سیلیسیوم نانومتخلخل با درصد تخلخل‌های مختلف با استفاده از روش آنودیزاسیون الکتروشیمیایی تهیه شد. مورفولوژی سطوح و اندازه حفره‌ها با استفاده از میکروسکوپ الکترونی عبوری بررسی شد. لایه‌های دی‌اکسید تیتانیوم به‌روش تبخیر با پرتو تفنگ الکترونی بر روی سیلسیوم متخلخل لایه نشانی شد. اثر شرایط آنودیزاسیون مانند زمان آنودی‌سازی و چگالی جریان بر مورفولوژی و خواص الکتریکی قطعات با اندازه‌گیری ولتاژ- جریان بررسی شد. نتایج نشان داد که خواص الکتریکی تحت تاثیر چگالی جریان و زمان آنودی سازی قرار می‌گیرد. هم‌چنین رسانندگی ac قطعات ساندویچی al/tio2/psi/al در محدوده فرکانسی 102 تا 105 هرتز و محدوده دمایی300 تا 378 کلوین بررسی شد. در محدوده فرکانسی کم‌تر از 103 هرتز نظریه نواری و در محدوده فرکانسی بزرگ‌تر از 103 هرتز مکانیزم هوپینگ در توضیح رسانندگی نانو ساختارهای لایه نازک tio2/psi با الکترودهای آلومینیوم کاربرد دارد.
|
|
کلیدواژه
|
لایه نازک ,قطعه ساندویچی ,هدایت الکتریکی
|
|
آدرس
|
دانشگاه خوارزمی, دانشگاه خوارزمی، دانشکده فیزیک, ایران, دانشگاه خوارزمی, دانشگاه خوارزمی، دانشکده فیزیک, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|