طراحی سلول sram هشت ترانزیستوری جدید زیر ناحیه ی آستانه با توانایی نوشتن دیفرانسیلی و خواندن یکطرفه سازگار با ساختار جایگذاری بیت
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
نوبخت مریم ,نیارکی اصلی راهبه
|
|
منبع
|
صنايع الكترونيك - 1396 - دوره : 8 - شماره : 2 - صفحه:149 -162
|
|
چکیده
|
در این مقاله یک سلول sram هشت ترانزیستوری با عملکرد زیر ناحیه ی آستانه ارائه می‌شود که در آن ضمن بهبود عملیات خواندن و نوشتن، مصرف توان کاهش چشمگیری دارد. سلول پیشنهادی عملیات نوشتن را به صورت دیفرانسیلی و عملیات خواندن را به صورت یکطرفه انجام میدهد. در این طراحی از ترکیب مناسب تکنیک‌هایی استفاده شده که نهایتا منجر به بهبود عملکرد سلول می‌شود. این روش‌ها عبارتند از تضعیف فیدبک وارونگرها در مد نوشتن، استفاده از ویژگی افزایش ولتاژ اعمالی به ترانزیستورهای دسترسی، حذف یکی از ترانزیستورهای راه‌انداز و جداسازی گره ذخیره از ترانزیستور دسترسی خواندن توسط بافر. شبیه‌سازیها در تکنولوژی 32 نانومتر ptm، نشان میدهد که سلول پیشنهادی، در تغذیه ی 0.3ولت، مصرف توان مد خواندن را نسبت به سلول 6 ترانزیستوری استاندارد، %93 مصرف توان مد نوشتن را، %80 بهبود می‌بخشد. علاوه بر این، سلول پیشنهادی، در مقایسه با سلول‌های مشابه دیگر که قابل اجرا در ساختار جایگذاری بیت هستند، دارای مصرف توان کمتر و مد نوشتن قوی‌تری است. این در حالی است که سلول پیشنهادی در مد خواندن نیز از عملکرد مطلوبی برخوردار است.
|
|
کلیدواژه
|
sram زیرآستانه ,جایگذاری بیت ,پایداری ,خطای نرم
|
|
آدرس
|
دانشگاه گیلان, ایران, دانشگاه گیلان, دانشکده ی برق, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
niaraki@guilan.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|