طراحی یک سلول جدید بسیار توان پایین sram با بهبود حاشیه نویز خواندن
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
نقی زاده شکوفه ,غلامی محمد
|
|
منبع
|
صنايع الكترونيك - 1396 - دوره : 8 - شماره : 3 - صفحه:135 -144
|
|
چکیده
|
امروزه حافظه‌های استاتیک یکی از قسمت‌های مهم مدارات دیجیتال می‌باشند و به علت سرعت و قدرت مناسب، در ساخت پردازنده‌ها، به کارگرفته می‌شوند. همچنین از حافظه‌های استاتیک به منظور ایجاد حافظه‌های نهان استفاده می‌شود. با افزایش درخواست کاربردهای باطری‌محور، توجه ویژه‌ای به متدهای کاهش توان مصرفی بلوک‌های حافظه شده است. سلول‌های حافظه‌های استاتیک اغلب در مد نگهداری داده هستند. علاوه بر این با بزرگ شدن سایز حافظه‌های استاتیک، توان استاتیک اهمیت ویژه‌ای می‌یابد و بخش بیشتر توان مصرفی را به خود اختصاص می‌دهد، در نتیجه کاهش توان استاتیک در اولویت طراحی قرار می‌گیرد. در این مقاله یک سلول جدید حافظه ارائه شده است که کاهش توان استاتیک را به همراه دارد. در این طرح با قابلیت مسیر خواندن و نوشتن جداگانه، توان استاتیک نسبت به سلول سنتی شش ترانزیستوری %21/78 کاهش و حاشیه نویز استاتیک خواندن نسبت به سلول سنتی شش ترانزیستوری %59/202 افزایش یافته است. به منظور ارزیابی عملکرد سلول ارائه شده و مقایسه نتایج، شبیه‌سازی‌ها در تکنولوژیtsmc 130nm cmos و تحت ولتاژ تغذیه 2/1 ولت صورت پذیرفته است.
|
|
کلیدواژه
|
حافظه های استاتیک ,sram، توان استاتیک پایین، حاشیه نویز استاتیک خواندن، کانال کوتاه
|
|
آدرس
|
موسسه آموزش عالی روزبهان, ایران, دانشگاه مازندران, دانشکده فنی و مهندسی, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
m.gholami@umz.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|