مقاوم سازی گیت معکوس کننده منطقی اتوماتای سلولی کوانتومی در برابر خطای محیط خشن
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
مهدوی مژده
|
|
منبع
|
صنايع الكترونيك - 1396 - دوره : 8 - شماره : 3 - صفحه:67 -74
|
|
چکیده
|
مدارهای دیجیتالی که در ابعاد میکرو و یا نانو طراحی شده اند در اثر برخورد یک ذره باردار و در حین عملکرد صحیح، ناگهان دچار تغییر وضعیت شده و این امر باعث اغتشاش در عملکرد مدار و بوجود آمدن خطا در مدار خواهد شد. این ذرات در محیطهای خشن الکتریکی، میتوانند عملکردهای متفاوتی را بر روی مدار ایجاد نمایند که برحسب عملکرد و نوع مدار، این تغییرات میتواند گذرا یا دایمی بوده که هرچه ابعاد مدار کمتر باشد حساسیت مدار نسبت به تاثیر ذرات باردار، بیشتر خواهد شد. امروزه در مدارهایی با ابعاد نانو معمولا از تکنولوژی خاصی در حین طراحی و ساخت مدار، برای مقاوم سازی و ایجاد مصونیت از تغییرات ناگهانی در محیطهای خشن استفاده میشود. اتوماتای سلولی کوانتومی بدلیل کاهش چشمگیر در توان مصرفی و ابعاد مدار، امروزه جایگاه ویژه ای را در نانوالکترونیک پیدا کرده است و به کمک روشهای مقاوم سازی میتوان تحمل پذیری این تکنولوژی را در محیطهای باردار الکتریکی بهبود بخشید. در این مقاله، به ارائه روش جدیدی جهت افزایش مقاوم سازی و شبیه سازی آن در گیت منطقی معکوس کننده در تکنولوژی اتوماتای سلولی کوانتومی می‌پردازیم و به کمک نرم افزار آن را شبیه سازی می‌نماییم.
|
|
کلیدواژه
|
اتوماتای سلولی کوانتومی ,مقاوم سازی ,نانوالکترونیک ,محیط خشن الکتریکی
|
|
آدرس
|
دانشگاه آزاد اسلامی واحد شهرقدس, گروه الکترونیک, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
m.mahdavi@qodsiau.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|