بهبود عملکرد آنتن های میدان نزدیک رزنانسی پارازیتیک ‏z‏ ‏شکل با تغییر در ساختار عنصر پارازیتیک و استفاده از عنصر ‏فشرده خازنی به عنوان جایگزین مدار تطبیق فعال غیر فاستری

یکی از کاربردهای مهم فرامواد،‏ کوچک سازی آنتن است. در این مقاله ایده تغییر در ساختار بخش پارازیتیک و استفاده ‏از عناصر فشرده به منظور جبران سازی ادمیتانس آنتن های کوچک در پهنای باند وسیع به عنوان یک راه حل اساسی ‏در افزایش پهنای باند آنتن،‏ مورد توجه قرار گرفته است. برای این منظور آنتن رزنانسی میدان نزدیک پارازیتیک ‏z‏ ‏شکل مورد بررسی و مطالعه قرار گرفته است. نتایج شبیه سازی و ساخت نشان می دهد که درصد پهنای باند نسبی ‏آنتن در حالت عادی چیزی در حدود 5% می باشد. با استفاده از تغییر در ساختار جز پارازیتیکی آنتن و استفاده از ‏تکنیک پورت دوم به جای عنصر سلفی،‏ درصد پهنای باند نسبی آنتن به نزدیک به 18% افزایش می یابد. در ادامه و با ‏استفاده از عنصر فشرده خازنی متصل به آنتن مونوپول و ساختار پارازیتیک،‏ پهنای باند آنتن به شدت افزایش یافته و به ‏بیش از 81% رسیده است. آنتن در هر سه حالت پیاده سازی شده و نتایج شبیه سازی و تست مورد بحث و بررسی قرار ‏گرفته است.