|
|
|
|
طراحی تقویت کننده کم‌نویز با gm افزایش‌یافته مبتنی بر استفاده از سلف فعال در کاربردهای با پهنای باند بسیار بالا
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
سادات کاظمی شیما ,صابرکاری علیرضا
|
|
منبع
|
صنايع الكترونيك - 1394 - دوره : 6 - شماره : 1 - صفحه:45 -56
|
|
چکیده
|
در این مقاله ساختار جدیدی بر پایه سلف فعال به منظور بهینه سازی عملکرد نویز و سطح مصرفی یک تقویت کننده کم نویز (lna) فراپهن باند گیت-مشترک با gm افزایش‌یافته معرفی شده که در آن از یک تقویت کننده سورس-مشترک به عنوان طبقه تقویت gm استفاده شده است. همچنین سلف غیر فعال درون-تراشه ای بزرگ مورد نیاز در طراحی lna، توسط یک سلف فعال جایگزین شده است که این موضوع مساحت کل تراشه lna پیشنهادی را به میزان قابل ملاحظه ای کاهش می دهد. این تقویت کننده در فناوری mµ 18/0 استاندارد cmos طراحی و شبیه سازی شده است. بهره توان مستقیم و مسطح (21s)،db 85/0± 85/11، ایزولاسیون معکوس (12s)، کمتر از db 1/56-، تلفات بازگشتی ورودی (11s)، کمتر از db 64/9- و عدد نویز (nf) db 9/4-6/4 در کل محدوده فرکانسی ghz6/10-1/3 به دست آمده اند. همچنین مقدار توان تلف شده به ازای ولتاژ تغذیه v 8/1، mw 6/13 می باشد.
|
|
کلیدواژه
|
Active Inductor ,Low Noise Amplifier (LNA ,gm-Boosted ,Ultra-Wideband (UWB ,ترارسانایی افزایش‌یافته ,تقویت کننده کم نویز ,سلف فعال ,فراپهن باند
|
|
آدرس
|
دانشگاه گیلان, دانشگاه گیلان، کارشناسی ارشد, ایران, دانشگاه گیلان, استادیار دانشکده فنی، دانشگاه گیلان, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
a_saberkari@guilan.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|