شبیه سازی ترانزیستور بدون پیوند نانولوله کربنی با استفاده از روش تابع گرین غیرتعادلی
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
بربستگان صابر ,شاه حسینی علی
|
|
منبع
|
صنايع الكترونيك - 1393 - دوره : 5 - شماره : 2 - صفحه:5 -10
|
|
|
|
|
چکیده
|
در این مقاله، ساختار ترانزیستوری به‌نام ترانزیستور بدون پیوند نانولوله کربنی را با استفاده از تابع گرین غیرتعادلی شبیه‌سازی کرده‌ایم. ترانزیستورهای بدون پیوند (jl-fet) ساختارهای بدیعی هستند که ضمن تسهیل فرآیند ساخت مشخصات الکترونیکی مطلوبی فراهم می‌کنند. ما با اعمال مفهوم بدون پیوند به ترانزیستورهای اثرمیدانی نانولوله کربنی (cntfet)، مشخصات الکترونیکی یک ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی بدون پیوند (jl-cntfet) را بررسی کرده و با ترانزیستور نانولوله کربنی معمولی (c-cntfet) مقایسه کرده‌ایم. پارامترهایی نظیر سویینگ زیرآستانه، نسبت جریان روشنی به جریان خاموشی و مشخصه خروجی ترانزیستور برای ساختارهای مذکور محاسبه شده‌اند. همچنین حساسیت ion/ioff ترانزیستور jl-cntfet به تغییر کایرالیتی و چگالی ناخالصی بررسی شدهاست. نتایج حاصل از شبیه‌سازی نشان می‌دهد که ترانزیستورهای نانولوله کربنی بدون پیوند با داشتن ولتاژ آستانه و شیب زیرآستانه کوچکتر و همچنین جریان خروجی بیشتر در حدود دو برابر c-cntfet گزینه مناسبی برای کاربردهای دیجیتال هستند. به منظور شبیه‌سازی کامپیوتری از روش حل خودسازگار معادله پوآسن و شرودینگر از طریق روال negf تحت شرایط بالستیک استفاده شدهاست.
|
|
کلیدواژه
|
Junctionless Transistors ,Non-Equilibrium Green’S Function (Negf ,Carbon Nanotube
|
|
آدرس
|
دانشگاه آزاد اسلامی واحد قزوین, دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی علوم و تحقیقات قزوین, ایران, دانشگاه آزاد اسلامی واحد قزوین, استادیار دانشکده برق، دانشگاه آزاد اسلامی قزوین, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
alishahhoseini@gmail.com
|
|
|
|
|
|
|