ارایه یک روش جدید در طراحی مرجع ولتاژ شکاف باند با استفاده از ترانزیستورهای ماسفت درناحیه وارونگی قوی با نسبت رد منبع تغذیه بالا
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
علی زاده محمد کریم ,شمسی حسین
|
|
منبع
|
صنايع الكترونيك - 1393 - دوره : 5 - شماره : 4 - صفحه:29 -40
|
|
چکیده
|
در این مقاله یک مرجع ولتاژ شکاف باند با ترانزیستورهای ماسفت در ناحیه وارونگی قوی پیشنهاد شده است. مدار پیشنهادی نسبت رد منبع تغذیه بالا و حساسیت دمایی پایینی دارد و می تواند با ولتاژ تغذیه کمتر از 1 ولت نیز کار کند. در این طراحی نسبت ردمنبع تغذیه به وسیله حلقه فیدبک و ولتاژ تنظیم شده، بهبود یافته است. این مدار درتکنولوژی mµ 18/0 سی ماس طراحی و در نرم افزار hspice شبیه سازی شده است. ولتاژ خروجی این مدار 7/466 میلی ولت و ضریب دمایی ولتاژ خروجی در بازه دمایی 20- الی 100 درجه سانتی گراد ppm?(°c) 1/29 است. نسبت رد منبع تغذیه در فرکانس های پایین 109 دسی بل است. توان مصرفی این مدار در دمای اتاق و به ازای ولتاژ تغذیه 2/1ولت برابر با 42 میکرووات است.
|
|
کلیدواژه
|
Bandgap Voltage Reference (BVR) ,Low Temperature Coefficient (Low TC) ,Strong Inversion Region ,High Power Supply Rejection Ratio(High PSRR)
|
|
آدرس
|
دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک, کارشناسی ارشد برق الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحداراک, ایران, دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی, استادیار دانشکده برق دانشگاه خواجه نصیر الدین طوسی, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|