|
|
|
|
بررسی اثرقطر نانولوله در رفتار ترانزیستورهای نانولوله کربنی با نواحی سورس و درین کم‌غلظت
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
شاه حسینی علی ,محمدیان سیاهکلرودی سجاد ,فایز رحیم
|
|
منبع
|
صنايع الكترونيك - 1392 - دوره : 4 - شماره : 3 - صفحه:5 -11
|
|
|
|
|
چکیده
|
در ا ی منقاله، ترانزیستور نانولوله کربنی با نواحی سورس و در ی کنمغلظت را با استفاده از روش توابع گر ینغ ی رتعادلی دری بعد ک شب یسهازی کردهایم . ترانزیستور نانولوله کربنی که در نزد ی ا کتیصالات سورس و در ی آنن نواحی کم غلظت درنظر گرفتهایم، اصطلاحاً ترانزیستور ldds-cntfet نامیده مشو ید. در بخشی از ا ی منقاله تاث ی ترغییر قطر نانولوله را برروی رفتار ا ی ننوع ترانزیستور مورد بررسی قرار دادهایم. با اعمال ا ی تغ نییرات مشاهده مشو ید که با افزا ی قط شر نانولولهجریان حالت روشن افزا ی یاف شته ولی نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش کاهش یافته و زمان تاخ ی ارفزاره ن یزکاهش ماب یید. همچن ی با ن تغییر یاد شده حساس ی جتریان نشتی و تاخ ی رو حاصلضرب توان در تاخ ی ارفزاره همگی نسبتبه مزیان غلظت سورس و در یکناهش ماب یید.
|
|
کلیدواژه
|
Negf ,Lightly Doped ,Ion-Ioff Ratio (Ion/Ioff) ,Delay Time ,Power-Delay Production (Pdp
|
|
آدرس
|
دانشگاه آزاد اسلامی واحد قزوین, دانشگاه آزاد اسلامی قزوین, ایران, دانشگاه آزاد اسلامی واحد قزوین, دانشگاه آزاد اسلامی قزوین, ایران, دانشگاه صنعتی شریف, دانشگاه شریف, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|