|
|
مدلسازی انتشار پالس های نوری پیکو ثانیه ای در افزاره های فوتونیکی مبتنی بر سیلیکون
|
|
|
|
|
نویسنده
|
رزاقی محمد ,محمدی آزاد
|
منبع
|
صنايع الكترونيك - 1392 - دوره : 4 - شماره : 3 - صفحه:31 -36
|
چکیده
|
در این مقاله به بررسی انتشار پالس نوری بسیار باریک و اثر تغییرات در طول افزاره و انرژی ورودی در موجبرهای فوتونیکی مبتنی بر سیلیکون پرداخته شده است. اثرات غیرخطی حاکم بر انتشار پالس نوری در افزارههای سیلیکونی در حوزههای زمان و فرکانس بسیار مهم و درنظر گرفت آنها الزامی است. از جمله این اثرات غیرخطی میتوان به جذب دو فوتون، جذب حاملهای آزاد، کِر و پهنشدگی سرعت گروه اشاره کرد. در اغلب تحقیقهای انجام شده از اثر پهنشدگی سرعت گروه صرف نظر شده است. در این تحقیق همه اثرات غیرخطی از جمله پهنشدگی سرعت گروه در نظر گرفته شده است. نشان داده شده است پهنشدگی سرعت گروه اثرات غیرخطی را تشدید میکند و در هر دو حوزه زمان و فرکانس اعوجاج قابل توجهی را در پالس عبوری ایجاد میکند. در این مقاله برای حل معادلات از روش عددی حوزه زمان مبتنی بر روش انتشار پرتو استفاده شده است. نتایج مشاهده شده در این تحقیق در تطابق مناسبی با نتایج تحلیلی گزارش شده است.
|
کلیدواژه
|
Silicon devices ,FDBPM ,TPA ,FCD ,FCA and GVD
|
آدرس
|
دانشگاه کردستان, دانشگاه کردستان, ایران, دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات, دانشگاه آزاد واحد علوم تحقیقات, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|