مدار مرجع ولتاژ با قابلیت کار در ناحیه زیرآستانه مناسب استفاده در کارت‌های هوشمند

یک مدار مرجع ولتاژ cmos بر اساس اختلاف ولتاژ گیت – سورس یک ترانزیستور از نوع pmos و دو ترانزیستور از نوع nmos ارایه شده است. به منظور کاهش مصرف جریان، المان‌های پسیو این مدار به حداقل رسیده است و همچنین تمام ترانزیستورها در ناحیه زیر آستانه بایاس شده‌اند. جهت بهبود نسبت حذف نویز تغذیه (psrr) در بخش بایاس از یک مدار بایاس با وابستگی کم به تغییرات تغذیه استفاده شده است. جریان مصرفی این مرجع ولتاژ 154 نانو آمپر در ولتاژ تغذیه 3/3 ولت می‌باشد و ولتاژ مرجع 27/1 ولت را ایجاد می‌کند. ثابت دمایی این مرجع ولتاژ ppm/?c59 می‌باشد. مقدار نسبت حذف نویز تغذیه در فرکانس‌های hz 100 و mhz 10 به ترتیب db 92- و db 66- می‌باشد. این مرجع ولتاژ یک ولتاژ ثابت به منظور استفاده در کنار رگولاتور ایجاد می‌کند و با توجه به مشخصات گفته شده، مناسب استفاده در کارت‌های هوشمند بدون تماس می‌باشد.