|
|
|
|
شبیه سازی دیود نورگسیل آلی (oled) و بهبود عملکرد آن با اصلاح لایه تزریق الکترون
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
باقری مرجان ,عرب پور فرزانه ,بنی هاشمی مهدی
|
|
منبع
|
صنايع الكترونيك - 1399 - دوره : 11 - شماره : 1 - صفحه:123 -131
|
|
چکیده
|
مطالعه و پژوهش در زمینه مواد قابل استفاده در لایه تزریق الکترون، یکی از مهمترین گام ها برای دستیابی به راندمان بالا و ولتاژ تحریک پایین در دیودهای نورگسیل آلی (oled) به شمار می رود. در این مقاله، بااستفاده از نرم افزار اتلس سیلواکو، رفتار موادی نظیر nast، al2o3 و tio2 به عنوان لایه تزریق الکترون (eil) در یک نمونه oled پلیمری با ساختار ito/pedot:pss/phppv/eil/al شبیه سازی گردید. نتایج شبیه سازی نشان دادند که با استفاده از ماده al2o3 می توان به دیودی با چگالی جریان بالا، درخشندگی بالا (cd/m2 13550)، ولتاژ تحریک پایین (v 2.3) و ولتاژ کاری پایین (v 4.05) در مقایسه با دو نمونه دیگر دست یافت. علت این موضوع، بالابودن میدان الکتریکی (حدود 2.4 برابر) ناشی از اختلاف تابع کار al2o3 و الکترون خواهی phppv بیشتر نسبت به دو نمونه دیگر است که نقش برجسته ای را در کمک به تزریق حامل های بار ایفا می کند. علاوه براین بازترکیب در نمونه با ساختار al2o3 تقریباَ در وسط لایه گسیل رخ می دهد. ضمناً بالاترین راندمان خروجی برای نمونه tio2بدست آمد که ناشی از افزایش میزان بازترکیب تابشی نسبت به سایر مکانیزم های بازترکیب در لایه گسیل نور است.
|
|
کلیدواژه
|
oled، لایه تزریق الکترون، شبیه سازی، راندمان
|
|
آدرس
|
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی, ایران, دانشگاه تربیت مدرس, دانشکده مهندسی شیمی, گروه فرآیند, ایران, انشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی, دانشکده فنی و مهندسی, باشگاه پژوهشگران جوان, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
m.banihashemi@iauctb.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Simulation of OLED And Its Performance Improvement by Electron Injection Layer Modification
|
|
|
|
|
Authors
|
Bagheri Marjan ,Arabpour Farzaneh ,Banihashemi Mehdi
|
|
Abstract
|
Study of electron injection materials is one of the most important steps in obtaining high efficient and low driving voltage in organic light – emitting diodes (OLEDs). In this article, we simulated OLED devices with structure of ITO/PEDOT:PSS/PHPPV/EIL/Al in Atlas Silvaco in which, NaSt, Al2O3 and TiO2 are used as electron injection layer (EIL). The OLED with Al2O3 exhibited higher current density, higher luminance (13550 cd/m2), lower driving voltage (2.3V) and lower operating voltage (4.05V) compared to the two other structures. The reason is greater electric field (about 2.4 times greater than that of two other structures) due to much more difference between work function of the device with Al2O3 and electron affinity of PHPPV, causing improvement of charge carrier injection. Furthermore, recombination almost occurs in the middle of the light emission layer. However, the OLED that employs TiO2 as electron injection layer, showed the highest external efficiency due to increase in radiation recombination rate in comparison with other recombination mechanisms in the light emission layer.
|
|
Keywords
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|