|
|
طراحی تقویتکننده فراپهنباند کمنویز از نوع تمام تفاضلی گیتمشترک
|
|
|
|
|
نویسنده
|
صالحی ناصر ,بکرانی مهدی ,زیانی هادی ,تسخیری محمدمهدی
|
منبع
|
صنايع الكترونيك - 1398 - دوره : 10 - شماره : 3 - صفحه:43 -58
|
چکیده
|
با افزایش تعداد استانداردهای مخابراتی، نیاز به فرستنده گیرنده های چند استانداردی افزایش یافته است. در این مقاله، هدف طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده کم نویز است که ضمن دارا بودن استانداردهای موجود، کل باند فرا پهن (uwb) را پوشش دهد. به این منظور پارامترهای اصلی طراحی نظیر نویز، بهره، تطبیق ورودی و سطوح جریان و ولتاژ بر اساس استانداردهای موجود در باند فرکانسی ghz 3.1 الی ghz 10.6 تعیین می شود. مدار پیشنهادی دارای ساختار تفاضلی گیت مشترک با بهره گیری از دو تکنیک افزایش ترارسانایی و استفاده مجدد از جریان است. با استفاده از این دو تکنیک در تقویت کننده کم نویز پیشنهادی در تکنولوژی m cmosμ 0.18 tsmc ، توان مصرفی نسبت به سایر روش ها کاهش قابل ملاحظهای یافت. علاوه بر این، عدد نویز حدود db1.8، بهره مسطح db12.8 الی db13.6، خطینگی (iip3) dbm7 و ضریب انعکاس ورودی کمتر از db10 حاصل شد.
|
کلیدواژه
|
تقویتکننده کمنویز، فراپهنباند، استفاده مجدد از جریان، بهبود بهره، تزویج خازنهای ضربدری
|
آدرس
|
دانشگاه صنعتی قم, ایران, دانشگاه صنعتی قم, ایران, دانشگاه صنعتی قم, دانشکده برق و کامپیوتر, ایران, دانشگاه صنعتی قم, دانشکده برق و کامپیوتر, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
A Fully Differential Ultra Wideband CommonGate Low Noise Amplifier
|
|
|
Authors
|
salehi naser ,Bekrani Mehdi ,Zayyani Hadi ,taskhiri mohammad mehdi
|
Abstract
|
Along with increasing in the number of telecommunication standards, the demand for multistandard transmitters / receivers has been raised. The aim of this paper is to design and simulate an LNA that covers the full band of UWB and involve the available standards as well. Accordingly, the main design parameters including noise, gain, input matching, current level, and voltage level are determined so as to achieve an effective operation in the band of 3.1 GHz to 10.6 GHz. The proposed structure is a differential commongate associated with the gainboosting and currentreused techniques. Applying the proposed commongate structure in the LNA in CMOS 0.18μm technology, the power consumption achieves a considerable reduction compared to other LNA counterparts. In addition, the noise figure is reduced to 1.8dB with a gain of 12.8 dB to 13.6 dB, a linearity of 7dBm is achieved, and the input reflection coefficient is reduced to less than 10 dB.
|
Keywords
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|