|
|
|
|
طراحی و شبیه‌سازی تقویت‌کننده‌های توزیع شده شبه‌تفاضلی آبشاری به‌منظور افزایش بهره در پهنای باند
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
بابایی نیک مجید ,دوستی مسعود ,توکلی محمدباقر
|
|
منبع
|
صنايع الكترونيك - 1398 - دوره : 10 - شماره : 4 - صفحه:17 -26
|
|
|
|
|
چکیده
|
تقویت‌کننده توزیع‌شده شبه‌تفاضلی (pdda) یک روش مناسب برای افزایش پهنای باند در یک تقویت‌کننده باند پهن می‌باشد. در این مقاله روش‌های افزایش بهره pdda توسط روش‌های آبشاری و حصول تقویت‌کننده توزیع‌شده شبه‌تفاضلی آبشاری (cpdda)در طرح‌های مختلف، با شرط توان و سطح تراشه ثابت، پیشنهاد شده که انتخاب طرح بهینه وابسته به پارامتر ro سلول‌های بهره (pda) است. جهت بررسی عملکردی و مقایسه طرح‌ها، مدارات پیشنهادی در تکنولوژی rf_cmos_ 0.18µm طراحی و در نرم‌افزار کیدنس شبیه‌سازی شده است. نتایج شبیه‌سازی نشان می‌دهند که در این تکنولوژی، برای به‌دست آوردن پهنای باند 040ghzکه نیاز به های پایین ترانزیستورهای سلول بهره pda است، تقویت‌کننده با ساختار دو pdda سه طبقه بهتر از ساختار سه pdda دو طبقه عمل کرده و با آن می‌توان به بهره 10db دست یافت. در این تقویت‌کننده پارامترهای s11,s22,s12 نیز به‌ترتیب 12,10,16 db بوده و عدد نویز برابر 4.6db و p1db برابر +3.5dbm می‌باشد. این تقویت‌کننده دارای توان مصرفی 230mw است و سطح تراشه 0.63mm2 می‌باشد. مقایسه این تقویت‌کننده با کارهای انجام شده قبلی، گواه عملکرد و کارایی مطلوب این تقویت‌کننده در کاربردهای باند پهن می‌باشد.
|
|
کلیدواژه
|
تقویت کننده باند پهن، تقویت کننده توزیع شده، تقویت کننده توزیع شده شبه تفاضلی آبشاری، پهنای باند، پارامترهای پراکندگی
|
|
آدرس
|
دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک, ایران, دانشگاه ازاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات, دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر, ایران, دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک, دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Design, Analysis and Simulation of Cascaded Pseudo Differential Distributed Amplifier to GainBandwidth Enhancement
|
|
|
|
|
Authors
|
Babaeinik Majid ,Dousti Massoud ,Tavakoli Mohammad
|
|
Abstract
|
Pseudodifferential distributed amplifier (PDDA) is an effective method in increasing the bandwidth of a broadband amplifier. This study investigates different methods with same power consumption and chip area for enhancement gainbandwidth in a cascaded pseudo differential distributed amplifier (CPDDA) and compare them.The choice of optimal design depends on the Ro parameter of the PDA cells. The proposed circuits have been implemented in 0.18μm RFCMOS technology. The simulation results show that in this technology, in order to obtain a 040GHz bandwidth that requires low of the PDA’s celltransistor, two cascaded PDDA with three stages has a better performance than a three cascaded PDDA with two stages. In two cascaded PDDA with three stages structure, a gain of 10dB can be achieved in the bandwidth of 40GHz in 0.18μm RFCMOS technology. In this amplifier, parameters S11, S22, S12, are 12, 10, and 16 dB, respectively and noise figure is equal to 4.6 and P1dB is +3.5dBm. This amplifier has 230mW power consumption and a chip area of 0.63 mm2. These values show the good performance of the proposed amplifier, compared to the results of previous works on similar amplifiers.
|
|
Keywords
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|