بررسی آثار نقص های بلوری و آلایش نقره روی ویژگی های ساختاری و الکترونیکی اکسید روی با استفاده از روش های شبیه سازی در ابعاد اتمی

در این مقاله، از روش شبیه سازی در ابعاد اتمی بر پایه محاسبه ی تابع چگالی الکترونی (dft) برای بررسی خواص ساختاری و الکترونیکی اکسیدروی با نقص های نقطه ای به همراه ناخالصی نقره استفاده شده است. ابتدا نقش ناخالصی های ذاتی اکسیدروی مثل تهی جای اکسیژن (vo) و تهی جای روی (vzn) بعنوان عامل کاهنده یا فزاینده ی حامل های نوع-p بررسی شده است. همچنین، شرایط دستیابی به اکسیدروی نوع- p با ناخالصی نقره، انرژی تشکیل و خواص الکترونیکی نقص های مرتبط با این ناخالصی مورد بررسی قرار گرفته است. مشخص شد که نقص های ذاتی vo و vzn فضای اطراف خود را دچار تنش می کنند و بترتیب، نقص های نوع-n و نوع-p با ترازهای انرژی ev 0.16 و 0.20 ev نسبت به لبه ی باند هدایت و ظرفیت ایجاد می کنند. ناخالصی ag در ملاء غنی از اکسیژن جای اتم zn در ساختار اکسیدروی قرار می گیرد و تراز ناخالصی پذیرنده 0.14 ev بالای پهنه ی ظرفیت ایجاد می کند.