ارائه ترانزیستور اثر میدانی تونلی بدون پیوند ناهمگون با گیت دو ماده ای برای کاربردهای آنالوگ و دیجیتال

در این مقاله ترانزیستور اثر میدانی تونلی بدون پیوند با استفاده از نرم افزار silvaco شبیه سازی می‌شود. بر اساس ایده‌های گیت دو ماده‌ای (dmg)‎ و ساختار ناهمگون (h)‎ کانال-سورس،‏ دو افزاره حاصل شبیه سازی و تحلیل می‌شوند. ما با ترکیب این دو ایده ترانزیستوراثر میدانی تونلی بدون پیوند ناهمگون با گیت دو ماده‌ای را ارائه می‌دهیم. تحلیل و مقایسه این ساختارها در حالت روشن و خاموش بر اساس الگوی نوار انرژی انجام می شود. با تحلیل مقایسه‌ای مشخصه جریان درین نسبت به ولتاژ گیت این افزاره‌ها جریان روشنایی بیشتر،‏شیب زیر آستانه کمتر،‏ نسبت جریان روشنایی به خاموشی بالاتر و ولتاژ آستانه کمتر افزاره پیشنهادی نسبت به سه ساختار دیگر آشکار است. جهت بررسی مقایسه‌ای بیشتر،‏ شاخص‌های هدایت انتقالی و فرکانس قطع نسبت به ولتاژ گیت این افزاره‌ها شبیه سازی شده‌اند. بهترین رفتار در مقایسه این شاخص‌ها نیز در افزاره پیشنهادی مشاهده میشود. بنابراین ترانزیستور پیشنهادی عملکردی بسیار خوب در کاربردهای دیجیتال و آنالوگ نسبت به سه افزاره دیگر دارد.