بررسی رسوب سختی چندسازه یی های آلومینیم - SiCp

تحقیقات انجام شده روی چند سازه یی های زمینه فلزی - که آلیاژ زمینه قابلیت رسوب سختی دارد ، نشان میدهد که سینتیک رسوب گذاری در این چند سازه ی ها سریع تر از آلیاژ زمینه ( بدون ذرات ) است . در این پروژه رسوب سختی چند سازه یی با زمینه ی آلیاژ 6061 و ذرات sicp از طریق و اندازه گیری مقاومت ویژه الکتریکی و انجام آزمایشات کشش مطالعه شده است . اندازه گیری مقاومت الکتریکی روش مناسبی است برای توصیف چگونگی تغییر ساختار میکروسکوپی طی عملیات حرارتی - مقاومت الکتریکی در اثر عملیات حل سازی افزایش و در اثر پیرسازی کاهش می یابد . نمونه ها پس از همگن سازی ، بر حسب زمان پیری در دماهای مختلف انجام شده است . دمای پیری در محدوده ی فاز ْbْc 175 و در محدوده ی فاز ‌َb cْ 250 در نظر گرفته شده است .