روشی جدید برای محاسبه ی تابع چگالی احتمال عمق نفوذ یون های پرتاب شده در نیمه هادی ها

کاشت یون نقش بسیار مهمی در ساخت انواع ادوات نیمه هادی و مدارات مجتمع ایفا می کند و شبیه سازی کاشت یون و محاسبه ی تابع چگالی احتمال عمق نفوذ یون ها، یکی از مبنای اصلی در طراحی vlsi است. در این نوشتار نیز یک مدل فیزیکی جدید برای این منظور ارائه می شود. این مدل که مبتنی است بر تکنیک معادله ای انتقال به کار گرفته شده توسط فوروکاوا و ایشیورا ولی با در نظر گرفتن پراکندگی زاویه یی یون ها، قابلیت به کارگیری انواع مقاطع برهمکنش های هسته یی را دارد. مقایسه نتایج حاصل از این شبیه سازی با نتایج اندازه گیری شده و سایر کارهای نظری انجام شده در این زمینه، صحت و دقت زیاد این مدل فیزیکی را تایید می کند.