بررسی ذخیره سازی هیدروژن بر روی نانولوله ی سیلیکون کربید تحت میدان الکتریکی خارجی با روش محاسباتی DFT

با استفاده از محاسبات تابع چگال جذب هیدروژن بر روی نانولوله سیلیکون کربید تحت میدان های الکتریکی در گستره های 0 تا 015/0 a.u. و 0 تا a.u. 0/025 به ترتیب در عرض و طول نانولوله بررسی شده است. هنگامی که هیدروژن در راستای میدان الکتریکی قرار می گیرد در هر دو جهت مثبت و منفی با افزایش میدان الکتریکی انرژی جذب افزایش می یابد. انرژی جذب در راستای عرضی و جهت مثبت هنگامی که میدان a.u 0/015 اعمال می شود به ev -0/18 می رسد. میدان الکتریکی در راستای طولی نانولوله همانگونه که باعث افزایش جذب هیدروژن می شود تاثیر عکس نیز دارد. هرچند که میزان افزایش انرژی جذب هیدروژن از میزان کاهش آن بیشتر است اما برآیند انرژی های جذب در تمام مکان ها مقدار چشمگیری ندارد. اعمال میدان موجب کاهش انرژی گپ شده اما سامانه خاصیت نیم رسانایی خود را در میدان های 025/0 و a.u 0/015 حفظ می کند. با حذف میدان الکتریکی از سامانه گاز و نانولوله آن مولکول هایی که به وسیله ی میدان الکتریکی جذب شده اند از نانولوله جدا می شوند و از این رو میدان الکتریکی به انجام هر دو فرایند جذب و واجذب کمک می کند.