تحلیل tcad از تغییرات آلایش کانال بر مشخصه های الکتریکی ماسفت دو گیتی در کاربردهای آنالوگ و دیجیتال

در این مقاله، عملکرد ترانزیستور اثر میدان نیمه رسانای اکسید فلز دو گیتی (dg-mosfet) در آلایش های گوناگون کانال بررسی و تحلیل شده است. مشخصه های الکتریکی مهم در کاربردهای آنالوگ و دیجیتال، مانند ولتاژ آستانه، جریان خاموشی و جریان حالت روشن به ازای آلایش کانال متغیر از 1*10^16 cm^-3 تا 2*10^13 cm^-3 مقایسه شده اند. بایاس درین از mv 10 تا v 1 افزایش داده شده، تا تاثیر dibl در آلایش کانال گوناگون بررسی گردد. افزون بر این، با توجه به اهمیت کلیدی نسبت ion/ioff در عملکرد دیجیتال افزاره، تاثیر آلایش کانال بر این مشخصه نیز بررسی شده است. در پایان، انتخاب مقدار بهینه ی آلایش کانال با توجه به رابطه های جایگزینی بین توانایی سوییچینگ، جریان حالت روشن، نیاز به توان و اثرات کانال کوتاه مانند dibl و جریان خاموشی، بحث و بررسی شده اند. استخراج مشخصه ها در این مقاله با استفاده از ابزار شبیه ساز atlastm انجام شده است.