طیف عبوری تنظیمپذیر بلور مگنتوفوتونی شامل پلاسمای مغناطیده ناهمسانگرد

در این مقاله طیف عبوری ساختاری از بلور مگنتوفوتونی ب هشکل 5)b(ap 5)b(a با استفاده از روش ماتریس انتقال بررسی شد هاست. لایه های a و b لایه های دی الکتریک معمولی و p ، پلاسمای مغناطیده ناهمسانگرد به عنوان لایه ی نقص میباشند. وجود لایه ی نقص باعث جایگزیدگی مدنقص در ناحیه ی گاف باند فوتونی میشود. وابستگی پاسخ نوری لایه ی نقص به شدت میدان مغناطیسی خارجی و چگالی پلاسما سبب تنظیم پذیری شدت عبوری مد نقص میشود. نتایج نشان میدهند با تغییر پارامترها امکان بهینه نمودن شدت عبوری مد نقص در طیف عبوری، فراهم میشود.