|
|
شبیه سازی ذره در سلول تولید میدان مغناطیسی محوری در برهمکنش لیزر پرشدت با هدفپلاسمایی مخروط دوگانه متصل به لوله استوانه ای
|
|
|
|
|
نویسنده
|
شاهی فاطمه ,شریفیان مهدی ,خوشبین فر سهیل
|
منبع
|
يازدهمين كنفرانس ملي مهندسي و فيزيك پلاسماي ايران - 1403 - دوره : 11 - یازدهمین کنفرانس ملی مهندسی و فیزیک پلاسمای ایران - کد همایش: 03240-75927 - صفحه:0 -0
|
چکیده
|
تولید میدا نهای مغناطیسی قوی ابزارهای آزمایشی جدیدی را برای مطالعات بنیادی و پشتیبانی از برنامه های متنوع ایجاد میکند. در این کار ما با استفاده از نتایج شبیهسازی ذره در سلول دو بعدی نشان م یدهیم که بره مکنش لیزر با قطبش خطی و شدت بیشینه ????=1.2×1019????????????2⁄ با هدف پلاسمایی مخروط دوگانه متصل به لوله استوان های در ابتدا منجر به ایجاد جریانهای الکترونی سطحی در داخل مخروط دوگانه شده و میتواند میدان مغناطیسی از مرتبه kt تولید کند. این میدان مغناطیسی تولید شده در دهانه مخروط توسط لوله استوان های متصل به آن کانالیزه شده و باعث جلوگیری از پراکندگی آن میشود. تابش پالس لیزری به داخل مخروط باعث تولید دو نوع جریان م یشود. جریان مثبت عمدتاً توسط الکترو نهای پر انرژی که از دهانه مخروط خارج میشوند، تولید شده و جریان منفی که جریانی سطحی است و در امتداد سطح داخلی مخروط بیرونی حرکت م یکند. وجود این دو جریان منجر به تولید میدان مغناطیسی از مرتبه kt میشود. این مفهوم نوید باز کردن مرزهای جدیدی را در بسیاری از شاخه های فیزیک بنیادی و کاربردها از نظر میدا نهای مغناطیسی بسیار بالا دارد.
|
کلیدواژه
|
برهمکنش لیزر-ماده، تولید میدان مغناطیسی محوری، شبیه سازی ذره در سلول، هدف مخروطی دوگانه
|
آدرس
|
, iran, , iran, , iran
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|