بررسی تاثیر نوسانات تصادفی ناخالصی روی خواص الکترونیکی نانوسیم inxga1-xn/gan با سطح مقطع شش ضلعی تغییر شکل داده شده

امروزه نیمه هادی ها مواد مهمی از گروه جامدات هستند که کاربردهای زیادی در حوزه تحقیقاتی پیدا کرده اند. این مواد در ساخت قطعاتی الکترونیکی، سلول های خورشیدی، لیزرهای نیمه هادی، دیودهای نوری و ... بکار می روند. یکی از ویژگی های مهم نیمه هادی ها که آن ها را از نارساناها و فلزات متمایز ساخته این است که در نیمه هادی ها، با تغییر میزان درصد ناخالصی می توان رسانایی الکتریکی آن ها را تنظیم کرد. در این مقاله، با توجه به اهمیت مواد ایندیم گالیم نیترید و بخصوص کاربرد وسیع آن ها در ساختارهای قطعات الکترونیکی، خواص الکترویکی نانوسیم ناهمگنinxga1-xn/gan که دارای یک سطح مقطع شش ضلعی تغییر شکل داده شده می باشد، بوسیله تغییر درصد ناخالصی ایندیم در آن مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از نرم افزار sphinx و بر اساس تئوری k.p هشت باند مبتنی بر موج تخت انجام پذیرفته است. در این مقاله، با ارائه شکل های چگالی بار الکترون و حفره با درصدهای مختلف ایندیم در نانوسیم مذکور، همپوشانی بین الکترون ها و حفره ها و همچنین انرژی آن ها مقایسه و بیان شده است.