القای یکسوسازی در نانو نوارهای گرافنی آرمچیر مجاور هم با آلایش با اتمهای بور و نیتروژن

ویژگیهای الکترونیکی و رفتار یکسوسازی در ساختارهای شامل 3 نانونوار گرافنی آرمچیر مجاور هم که با اتمهای نیتروژون و بور آلایش یافته است، با استفاده از روش تنگ بست تابعی چگالی، مورد بررسی قرار گرفت. آلایش 2 نانو نوار جانبی دو طرف کانال، که نقش گیت‌های جانبی را برای نانو نوار مرکزی دارند، سبب تغییر هدایت الکتریکی آنها و نانو نوار کانال نیمه‌هادی مرکزی غیر آلائیده می‌گردد. در نتیجه، اندازه ولتاژ آستانه بایاس مستقیم به میزان قابل ملاحظه ای کاهش می‌یابد، به صورتی که در ساختار آلایش یافته با هر دو ناخالصی بور و نیتروژن، این ولتاژ در حدود 2/0 ولت است. همچنین، نسبت به ساختار آلایش نیافته، جریان الکتریکی بایاس مستقیم ساختارهای آلایش یافته افزایش یافته است. در بین همه ساختارها، این ساختار 3a(565)-bn دارای بالاترین نسبت یکسوسازی به بزرگی 107×76/3 است؛ همچنین، حداکثر جریان بایاس مستقیم در محدوده بایاس اعمالی مربوط به این ساختار است که مقدار آن به μa29/8 می‌رسد.