بهبود سطح گلبرگ جانبی با لحاظ کردن اثر تزویج متقابل در طراحی آنتن آرایه ای شکافی مبتنی بر موجبر مجتمع شده در زیرلایه

در آنتن های آرایه ای شکافی مبتنی بر موجبر مجتمع شده در زیرلایه میزان تزویج متقابل قابل ملاحظه است و می تواند بر سطح گلبرگ جانبی در آنتن تاثیر نامطلوب داشته باشد. در این مقاله، راهکار جدیدی برای بهبود سطح گلبرگ جانبی در آنتن های آرایه ای شکافی مبتنی بر موجبر مجتمع شده در زیرلایه پیشنهاد و بررسی می شود. این راه کار مبتنی بر لحاظ کردن اثر تزویج متقابل در فرایند طراحی آنتن است. برای این منظور، ادمیتانس معادل شکاف از تحلیل تمام موج مدل دو شکاف و مدل سه شکاف بدست می آید. بر اساس راهکار پیشنهادی یک آنتن آرایه ای شکافی مبتنی بر موجبر مجتمع شده در زیرلایه با هدف دستیابی به سطح گلبرگ جانبی db 20- در فرکانس مرکزی ghz 10 طراحی و شبیه سازی می شود. در این طراحی از ضرایب توزیع گسسته تیلور به عنوان ضرایب تحریک استفاده میگردد. نتایج شبیهسازی نشان می دهد با لحاظ کردن اثر تزویج متقابل مطابق روش ذکر شده، سطح گلبرگ جانبی به مقدار مطلوب db 20- می رسد.