بررسی مکانیزم رشد و تغییر ضریب شکست لایه آلی سیلیکاتی با افزایش گاز نیتروژن در پلاسمای teos-o2

در بسیاری از کاربردهای اپتیکی نیاز به لایه های بسیار شفاف با استحکام مشابه لایه اکسید سیلیسیوم است که در عین حال دارای ضریب شکست بیشتر از اکسید سیلیسیوم باشد. در این تحقیق لایه های نازک آلی سیلیکاتی sioxny به روش پلیمریزاسیون پلاسمایی و با استفاده از دستگاه رسوب گذاری شیمیایی از فاز بخار با ساختار کوپل خازنی بر روی زیرلایه های سیلیسیومی لایه نشانی شدند. منبع استفاده شده برای عنصر سیلیسیوم در ترکیب لایه، ماده آلی سیلیکاتی teos بوده است که با گاز اکسیژن و مقادیر مختلف شار نیتروژن ترکیب شده است. مکانیزم رشد و تغییرات ضریب شکست و همچنین تغییرات جذب اپتیکی لایه ها مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج آنالیز نشان داد که می توان با افزودن گاز نیتروژن در ترکیب گازی پلاسما ضریب شکست لایه های اکسید سیلیسیوم را بدون تغییر قابل توجهی در شفافیت آن ها افزایش داد.