بررسی و ارزیابی پایداری حرارتی و زبری سطح لایه‌نازک اکسید روی

اکسید روی (zno)؛ یک نیمه‌رسانای نوع n با گاف انرژی پهن می‌باشد، به همین علت به‌عنوان یک ماده مفید برای گسترش قطعات الکترونیکی و اپتوالکترونیکی مانند رساناهای شفاف، حسگرهای گازی واریستورها، همچنین در ساخت سلول‌های خورشیدی نیز به کار می‌رود. روش‌هایی متعددی برای تهیه فیلم‌های نازک اکسید روی با توجه به محدوده وسیع کاربردشان وجود دارد. در این کار تجربی فیلم‌های نازک اکسید روی، با استفاده از روش سل - ژل و به‌کارگیری تکنیک غوطه‌وری بر روی زیر لایه‌های مسی تهیه‌شده‌اند. از زینک استات دی هیدرات به‌عنوان ماده اولیه و از محلول‌های 2-متوکسی اتانول و دی اتانول آمین به ترتیب به‌عنوان حلال و پایدارساز استفاده‌شده است. غلظت فیلم‌های تهیه‌شده 9/0 مول بر لیتر می‌باشد و این فیلم‌ها در دمای 300 درجه سانتی گراد باز پخت شده‌اند. همچنین در این تحقیق، مورفولوژی، زبری سطح و پایداری حرارتی پوشش موردبررسی قرار می‌گیرد.