نوسان‌ساز حلقوی جدید قابل تنظیم مبتنی بر وارونگرهای dtmos و fgmos با فرکانس بالا و توان پایین در فناوری 180 نانومتر cmos
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
باغی رهین امیر ,اخترزاده محمد حسین ,علیجانپور امیر سعید ,باغی رهین وحید
|
|
منبع
|
هشتمين همايش ملي مطالعات و تحقيقات نوين در حوزه علوم كامپيوتر، برق و مكانيك ايران - 1401 - دوره : 8 - هشتمین همایش ملی مطالعات و تحقیقات نوین در حوزه علوم کامپیوتر، برق و مکانیک ایران - کد همایش: 01211-16575 - صفحه:0 -0
|
|
چکیده
|
در این مقاله، یک نوسان‌ساز حلقوی جدید قابل تنظیم مبتنی بر وارونگر dt/fgmos ارائه می‌شود. وارونگر پیشنهادی در ساختار این نوسان‌ساز حلقوی بصورت ترکیبی از روش dtmos (برای تمامی ترانزیستورهای pmos) و ترانزیستور fgmos (برای تمامی ترانزیستورهای nmos) است. براساس شبیهسازی های صورت گرفته با نرم افزار hspice و نتایج بدست آمده در فناوری 180 نانومتر و ولتاژ تغذیه 8/0 ولت، فرکانس نوسان این نوسان‌ساز در محدوده تنظیم از 415 مگاهرتز تا 668 مگاهرتز تغییر کرده و توان مصرفی آن در محدوده تنظیم فرکانسی از 30/22 تا 22/32 میکرو وات تغییر میکند. حاصلضرب تاخیر-توان (pdp) به عنوان یک معیار شایستگی در این تحقیق مورد ارزیابی قرار گرفته است. براساس نتایج حاصله، در محدوده تنظیم فرکانسی مقدار pdp در بازه 03/8 تا 94/8 فمتو ژول است. pdp طرح پیشنهادی در مقایسه با روش‌های پیشرفته و به روز فوق العاده پایین است که این طرح را برای کاربردهای توان پایین و فرکانس بالا بسیار مناسب می‌سازد. همچنین، مدار پیشنهادی یک عملکرد قوی در مقابل تغییرات دما و ولتاژ تغذیه از خود نشان می دهد.
|
|
کلیدواژه
|
نوسان‌ساز حلقوی، ترانزیستور fgmos، روش dtmos، وارونگر dt/fgmos، قابل تنظیم، حاصلضرب تاخیر-توان (pdp)
|
|
آدرس
|
, iran, , iran, , iran, , iran
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|