ساختار جدید ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی بدون آلایش با دو فلز با تابع کار دوگانه در نواحی درین- سورس

در این مقاله یک ساختار جدید با استفاده از اتصالات دوتایی در نواحی درین و سورس برای بهبود مشخصه های الکترونیکی ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی بدون آلایش پیشنهاد شده است. ساختار پیشنهادی با تقسیم بندی نواحی درین و سورس به دو ناحیه با طول های یکسان و انتخاب توابع کار متفاوت برای هر ناحیه، ارائه شده است. نتایج بررسی های صورت گرفته نشان می دهد که نوسان زیر آستانه بهبود یافته است، همچنین تونل زنی نوار به نوار و جریان نشتی کاهش قابل توجهی دارد که باعث افزایش نسبت جریان می شود. برای شبیه سازی افزاره پیشنهادی از حل خودسازگار معادله پواسون – شرودینگر و روش تابع گرین غیرتعادلی استفاده شده است.