مقاومت گرمایی در فصل مشترک ساختار si/ge به روش شبیه سازی دینامیک مولکولی

اتلاف گرما از طریق سطوح مشترک در نانوقطعاتی که مانع از انتقال گرما می شوند، چالش برانگیز است. بر این اساس، رویکردهای موثری برای بهینه‌سازی انتقال حرارت در سطوح مشترک مورد نیاز است. در این نوشتار، با استفاده از روش شبیه‌سازی دینامیک مولکولی، به طور سیستماتیک بهینه‌سازی انتقال گرمای سطح مشترک در ساختار si/ge با تغییر درصد اختلاط اتمهای si وge در ناحیه فصل مشترک بررسی می شود. نتایج نشان می دهد که مقدار مقاومت گرمایی سطح مشترک در درصد اختلاط حدود %15 (تعداد اتمهای ge به تعداد کل اتمها در ناحیه فصل مشترک با طول 1nm) کمینه است . نتایج این تحقیق می تواند در کاربردهای گرمایی si/geدر تراشه های نانوالکترونیک و یا پدیده ترموالکتریک مفید واقع شود.

thermal resistance at the interface of si/ge structure using molecular dynamics simulation

heat dissipation through interfaces in nanodevices that hinder heat transfer is challenging. based on this, effective approaches are needed to optimize heat transfer at the interfaces. in this manuscript, using the molecular dynamics simulation method, the optimization of interfacial heat transfer in the si/ge structure is systematically investigated by changing the mixing percentage of si and ge atoms in the interface area. the results show that the thermal resistance value of is minimal at a mixing percentage of about 15% (the number of ge atoms in the total number of atoms in the interface area with a length of 1 nm). the results of this research can be useful in si/ge thermal applications in nanoelectronic chips or thermoelectric phenomena.