ویژگی های ترموالکتریکی دیامان نیمرسانای c4clf

در این مقاله خواص الکتریکی و پارامترهای ترموالکتریکی نانو ساختار دوبعدی c4clf با رهیافت نظریه تابعی چگالی مطالعه شده است. نتایج نشان میدهد که c4clf یک گاف نواری مستقیم در مرکز منطقه بریلوئن به اندازه 0/88ev دارد. بیشینه ضریب سیبک برای آلایش نوع p برابر است با 1584µv/k و برای آلایش نوع n برابر با 1514µv/k - می باشد. همچنین با افزایش دما ضریب سیبک کاهش می یابد و بیشترین مقدار ضریب سیبک در بازه دمایی300-200 کلوین روی می دهد. ضریب توان برای آلایش نوع n بیشینه است و با افزایش دما افزایش می یابد و بیشترین مقدار ضریب توان در بازه دمایی 900-1100 کلوین روی می دهد.

thermoelectric properties of semiconducting diamane c4clf

in this paper the electronic and thermoelectric properties of two-dimensional c4clf monolayers are studied in the framework of density functional theory (dft). our calculations indicate that c4clf monolayers have a direct band gap in the center of the brilluin region of 0.88 ev. the maximum of seebeck coefficient is 1584 μv/k (-1514 μv/k) for p-type (n-type) monolayers. also, the seebeck coefficient decreases with arising of temperature and highest value of seebeck coefficient occurs in the temperature range of 200-300 k. power factor is maximum for n-type monolayers and it increases with arising of temperature and it has the highest value in the temperature range of 900-1100 k.