|
|
|
|
اثر درصد تزریق عنصر b در نانونوار ژرمنن دسته صندلی روی خواص الکترونیکی آن
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
بهزادی فهیمه ,جمال زاده خیرآبادی شریعه
|
|
منبع
|
سومين كنفرانس ملي ميكرونانوفناوري - 1401 - دوره : 3 - سومین کنفرانس ملی میکرونانوفناوری - کد همایش: 01220-93971 - صفحه:0 -0
|
|
چکیده
|
در این مقاله، تاثیر تزریق عنصر b در نانونوار ژرمنن دسته صندلی بر خواص الکترونیکی آن را بررسی کردیم. نانونوار ژرمنن دسته صندلی که با 2f در لبه ها عامل دار شده است، یک نیمه رسانا با گاف انرژی 0.12ev است. با تزریق عنصر b در آن، خواص الکترونیکی آن تغییر می کند و از نیمه رسانا به رسانا تبدیل می شود. در هر سه نمونه رفتار مقاومت دیفرانسیلی منفی مشاهده می شود. اولین پدیده مقاومت دیفرانسیلی منفی در دو نمونه genr-1b و genr-2b در ولتاژ حدود 0.2v اتفاق می افتد و این پدیده برای نمونه genr در ولتاژ حدود 0.8v اتفاق می افتد. بیشترین نسبت قله به دره مربوط به نمونه genr-1b است.
|
|
کلیدواژه
|
نانونوار ژرمنن، دسته صندلی، خواص الکترونیکی، نظریه تابع چگالی، تزریق عنصر b، مقاومت دیفرانسیلی منفی
|
|
آدرس
|
, iran, , iran
|
|
پست الکترونیکی
|
sharie.jamalzade14420@gmail.com
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
the effect of the percentage of b doping into armchair germanene nanoribbons on its electronic properties
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
Abstract
|
in this paper, we investigate the effect of b doping on the electronic properties of armchair germanene nanoribbon. the armchair germanene nanoribbon funcinalaized by 2f is a semiconductor with an energy bandgap 0.12ev. by doping b element, its electronic property changes and transits from semiconductor to metal. we observe the negative differential resistance for the all three samples. the first negative differential resistance for genr-1b and genr-2b occurs at the voltage 0.2v and this phenomenon for genr occurs at the voltage 0.8v. the most value of peak-to-valley ratio belongs to genr-1b.
|
|
Keywords
|
germane nanoribbon ,armchair ,electronic properties ,density functional theory ,b doping ,negative differential resistance
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|