بررسی اثرات میدان مغناطیسی بر خواص گرمایی gec تک لایه

در این مقاله، با استفاده از مدل تنگ بسط و فرمول کوبو-گرینوود، خواص گرمایی gec تک لایه در حضور میدان مغناطیسی بررسی شده است. در مرحله اول، با استفاده از نتایج محاسبات تابعی چگالی و تطبیق آنها با فرمولبندی تئوری، پارامترهای مورد نیاز مدل تنگ بسط برای ساختار gec به دست آمده است.با استفاده از پارامترهای به دست آمده، رفتار تابع چگالی حالتها، ظرفیت گرمایی و رسانندگی گرمایی در حضور میدان مغناطیسی، بررسی شده است. نتایج نشان می دهد که گاف انرژی این ساختار تحت تاثیر میدان قوی مغناطیسی کاهش یافته، اما تبدیل به فلز نمی شود. با بررسی خواص گرمایی بر حسب دما، نتایج نشان می دهد که این خواص ابتدا صفر بوده و سپس با افزایش دما، افزایش می یابند. میدان مغناطیسی باعث افزایش این خواص در بازه دمایی کوچک می شود و دلیل آن افزایش انرژی حاملهای بار می باشد. در مقایسه با گرافن، ساختار gec، دارای خواص گرمایی کوچکتری می باشد.

investigation of the effects of the magnetic field on the thermal properties of gec monolayer

in this paper, the thermal properties of monolayer gec are investigated using the tight binding model and kubo-greenwood formula. in the first step, using the dft results and matching them with the theoretical formulation, the required parameters for the tight binding model for the gec structure are obtained. the results show that the energy gap of this structure is reduced under the influence of a strong magnetic field, but it remains as semiconductor in the presence of the strong magnetic field. by investigation the thermal properties in terms of the temperature, the results show that the thermal properties of the selected structures, increase from zero. by applying the magnetic field, the increasing rate for the thermal properties increases in the lower temperature region due to the increasing the thermal energy of charge carriers. compared to graphene, the structure of gec has smaller creamy properties.