|
|
|
|
مطالعه نظری دوپ شدن نانولوله بورنیترید (4و4) توسط اتم‌های k، ca و ga
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
محمدی مرضیه ,حکمت آرا سیده هدی ,سالاری زاده پریسا ,باغگلی مهدی
|
|
منبع
|
ششمين كنفرانس شيمي كاربردي ايران - 1401 - دوره : 6 - ششمین کنفرانس شیمی کاربردی ایران - کد همایش: 01220-55664 - صفحه:0 -0
|
|
چکیده
|
در این تحقیق تاثیر دوپ شدن بر روی پایداری و خواص الکترونی نانولوله بورنیترید توسط اتم‌های k، ca و ga با استفاده از روش dft در سطح نظری b3lyp و مجموعه پایه 6-31g بررسی شده است .همچنین یکسری خواص الکترونی نظیر شکاف انرژی، پتانسیل شیمیایی الکترونی، شاخص الکترون‌دوستی، نرمی و سختی شیمیایی مورد مطالعه قرار گرفت. با توجه به نتایج به‌دست آمده، مشاهده گردید که نانولوله بورنیترید دوپ نشده پایدارتر از نانولوله دوپ شده است.
|
|
کلیدواژه
|
نانولوله بورنیترید، دوپ شده، dft
|
|
آدرس
|
, iran, , iran, , iran, , iran
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
theoretical study of doped boron nitride nanotube by k, ca and ga atoms
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
Abstract
|
in this study, the doping effect by k, ca and ga atoms has been investigated on the stability and electronic properties of boron nitride nanotube using the dft method at the theoretical level of b3lyp and 6-31g base set. also, some electronic properties such as homo–lumo gap, electronic chemical potential, electrophilicity index, chemical hardness and softness are examined. according to the obtained results, it was observed that non-doping boron nitride nanotube is more stable than doped nanotubes.
|
|
Keywords
|
boron nitride nanotube ,doping ,dft
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|