|
|
|
|
محاسبه‌ی تحلیلی ولتاژ آستانه‌ی افزاره‌ی سیلیکون بر روی الماس به وسیله مدل خازنی
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
دادخواه افشین ,دقیقی آرش
|
|
منبع
|
پنجمين كنفرانس ملي فناوريهاي نوين در مهندسي برق و كامپيوتر - 1401 - دوره : 5 - پنجمین کنفرانس ملی فناوریهای نوین در مهندسی برق و کامپیوتر - کد همایش: 01220-90135 - صفحه:0 -0
|
|
چکیده
|
در این مقاله به کمک مدل مداری خازنی، رابطه‌ی ولتاژ آستانه را برای یک افزاره‌ی سیلیکون بر روی الماس محاسبه می‌نماییم. برای مدل خازنی این ادوات با در نظر گرفتن این نکته که در این ساختار در مقایسه با افزاره‌های سیلیکون بر روی عایق، الماس جانشین دی اکسید سیلیکون دفن شده گردیده است، می‌توان از مدل خازنی ادوات سیلیکون بر روی عایق (با در نظر گرفتن مشخصات الماس به جای دی اکسید سیلیکون دفن شده) استفاده نمود. در این راستا در ابتدا به بررسی تمامی خازن‌های موجود در مدل مداری در نظر گرفته شده‌ی این افزاره پرداخته و با ارائه روابط تحلیلی، راه را برای محاسبه‌ی این خازن‌ها هموار می‌نماییم. همچنین با به کار بردن روش تحلیلی گره در دو نقطه‌ی موجود در این مدل مداری با پتانسیل سطوح ????s1و ????s2 ، رابطه مورد نظر محاسبه می‌گردد. هدف از این محاسبات علاوه بر استخراج رابطه‌ی ولتاژ آستانه از مدل خازنی این ادوات، ایجاد یک رابطه، با دقت عمل مناسب جهت پیش‌بینی عملکرد این افزاره‌ها در شرایط آستانه می‌باشد. به همین جهت نتایج بدست آمده از این روابط تحلیلی را در ابعاد مختلف ترانزیستور با مقادیر حاصل از شبیه‌سازی افزاره مقایسه نمودیم که حاصل آن یک تطبیق مطلوب بین این نتایج می‌باشد. همچنین در نتایج حاصل شده می‌توان تاثیر تغییرات ابعاد قسمت‌های مهم افزاره‌ی سیلیکون بر روی الماس همچون ضخامت لایه اکسید گیت، ضخامت لایه سیلیکونی زیر گیت، ضخامت لایه الماس دفن شده را بر روی ولتاژ آستانه مشاهده نمود.
|
|
کلیدواژه
|
: ولتاژ آستانه، سیلیکون بر روی الماس، سیلیکون بر روی عایق، ماسفت، مدل خازنی
|
|
آدرس
|
, iran, , iran
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|