تاثیر آلایش‌ اتم‌های کربن و اکسیژن بر خواص مغناطیسی نانونوار آنتیمونن-فسفرن در حضور میدان الکتریکی خارجی

در این مقاله، با استفاده از نظریه تابعی چگالی، اثرات میدان الکتریکی عرضی و ناخالصی‌های کربن و اکسیژن بر خواص مغناطیسی نانونوار آرمچیر آنتیمونن-فسفرن دوتایی بررسی شده است. نتایج محاسبه شده نشان می‌دهد که گشتاور مغناطیسی تحت تاثیر موقعیت جایگزینی اتم‌های ناخالصی است. خاصیت نیمه‌هادی مغناطیسی را می‌توان در نانونوارهای آلاییده شده با اتم کربن در موقعیت فسفر و اتم اکسیژن در موقعیت آنتیمونن تحقق بخشید. علاوه بر این، مشخص شد که میدان الکتریکی عرضی می‌تواند سیستم را از یک نیمه‌هادی به یک فلز مغناطیسی تبدیل کند.

effect of carbon and oxygen atoms dopant on the magnetic properties of antimonene-phosphorene nanoribbon in the presence of an external electric field

in this paper, using the density functional theory, the effects of the transverse electric field and carbon and oxygen impurities on the magnetic properties of binary antimonene-phosphorene armchair nanoribbons have been investigated. the calculated results show that the magnetic moment is influenced by the substitution position of impurity atoms. the magnetic semiconductor property can be realized in nanoribbons doped with carbon atom in the phosphorus position and oxygen atom in the antimonene position. furthermore, it is found that the transverse electric field can convert the system from a semiconductor to a magnetic metal.