بررسی اثر اختلال های خارجی برروی خواص الکتریکی dna دورشته ای

در این تحقیق با استفاده از روش تئوری، اثر اغتشاش خارجی مانند اثر ولتاژ بایاس و اثر کرنش را یک بار بر روی dna دو رشته ای و یک بار با اتصال آن به دو نوار نانو گرافن ( gnr) بررسی می کنیم. اعمال اثر کرنش بر روی dna دو رشته ای با تغییر در ویژه انرژی، افزایش شکاف انرژی و کاهش رسانایی همراه است و اعمال ولتاژ بایاس رسانایی را افزایش می دهد که به دلیل ویژگی های ذاتی dna است. در صورتی که یک dna دو رشته ای را به نانو نوارهای گرافن وصل می کنیم ، با اضافه کردن کرنش، شکاف انرژی کوچکتر می شود و با افزایش ولتاژ بایاس، مقدار رسانایی الکتریکی افزایش می یابد.

investigating the effect of external disturbances on the electrical properties of double-stranded dna

in this study, using a theoretical method, we investigate the effect of external disturbance such as the effect of bias voltage and the effect of strain once on double-stranded dna and once by attaching it to two graphene nano ribbons (gnr). applying the effect of strain on double-stranded dna is associated with a change in eigenvalues, an increase in the energy gap and a decrease in conductivity, and applying a bias voltage increases conductivity, which is due to the inherent characteristics of dna. in the case where we attach a double-stranded dna to the graphene nanoribbons, by adding strain the energy gap becomes smaller, and with the increase of the bias voltage, the amount of electrical conductivity increases.