برآورد کارایی سلول های sram توان پایین در تکنولوژی گیت های همه جانبه

تکنولوژی های چند گیتی به دلیل قابلیت کنترل عالی گیت بر روی کانال منجر به شیب زیر آستانه ایده آل و ایمنی قوی در برابر اثرات کانال کوتاه می شود. مشخصه زیر آستانه ایده آل تکنولوژی گیت همه جانبه (gaa) یک ویژگی اساسی برای حفظ نسبت ion / ioff بالا در عملیات ولتاژ پایین است. سلول sram مبتنی بر تکنولوژی گیت همه جانبه، برای حافظه ی کم توان با ولتاژ تغذیه پایین قابل استفاده است. در این مقاله، کارآیی سلول های sram در تکنولوژی gaa از نظر مصرف توان، پایداری و سرعت عملکرد ارزیابی شد و با طراحی این سلول ها در تکنولوژی finfet مورد مقایسه قرار گرفته است. شبیه سازی ها با استفاده از نرم افزار hspice و مدل bsim-cmg و فناوری 10 نانومتر انجام شده است. نتایج شبیه سازی ها نشان می دهد، مصرف توان استاتیکی سلول های sram کم توان در تکنولوژی gaa بین 78% تا 86% بهبود پیدا می کند. همچنین در تکنولوژی gaa پایداری hsnm و rsnm بین 41% تا 131% نسبت به سلول های مشابه در تکنولوژی finfet افزایش می یابد.

estimating the efficiency of low power sram cells in gate-all-around technology

multi-gate technologies result in ideal sub-threshold slope and strong immunity against short-channel effects due to excellent gate controllability over the channel. the ideal sub-threshold characteristic of gate-all-around (gaa) technology is an essential feature to maintain a high ion/ioff ratio in low voltage operation. the sram cell based on gate-all-around technology can be used for low power memory with low supply voltage. in this article, the efficiency of sram cells in gaa technology was evaluated in terms of power consumption, stability and performance speed and compared with the design of these cells in finfet technology. the simulations have been done using hspice software and bsim-cmg model and 10 nm technology. the results of the simulations show that the static power consumption of low-power sram cells improves between 78% and 86% in gaa technology. also, in gaa technology, the stability of hsnm and rsnm increases between 41% and 131% compared to similar cells in finfet technology.