مدلسازی و شبیه سازی آرایه های فتوولتائیک

این مقاله روشی برای مدل‌سازی و شبیه‌سازی آرایه‌های فتوولتائیک پیشنهاد می‌کند. هدف اصلی یافتن پارامترهای معادله غیرخطی i-v با تنظیم منحنی در سه نقطه است: مدار باز، حداکثر توان و اتصال کوتاه. با توجه به این سه نقطه، که توسط تمام داده‌های آرایه تجاری ارائه شده‌اند، این روش بهترین معادله i-v را برای مدل فتوولتائیک تک دیودی(pv) شامل اثر مقاومت‌های سری و موازی پیدا می‌کند و تضمین می‌کند که حداکثر توان مدل با حداکثر توان آرایه واقعی مطابقت دارد. با پارامترهای معادله i-v تنظیم شده، می توان یک مدل مدار فتوولتائیک با هر شبیه ساز مدار با استفاده از بلوک های ریاضی پایه ساخت. روش مدل‌سازی و مدل مدار پیشنهادی برای طراحان الکترونیک قدرت که به یک روش مدل‌سازی ساده، سریع، دقیق و با کاربری آسان برای استفاده در شبیه‌سازی سیستم‌های فتوولتائیک نیاز دارند، مفید است. در صفحات اول، خواننده یک آموزش در مورد دستگاه های فتوولتائیک پیدا می کند و پارامترهایی که مدل فتوولتائیک تک دیود را تشکیل می دهند را درک می کند. سپس روش مدل‌سازی به تفصیل معرفی و ارائه می‌شود. این مدل با داده‌های تجربی آرایه‌های فتوولتائیک تجاری تایید شده است.