مروری بر ترانزیستور های دو گیتی دو ماده ای

در سال های اخیر تلاش روی کوچک سازی ترانزیستورها اهمیت ویژه ای یافته است. مهم ترین دلایل اهمیت کوچک سازی ترانزیستورها کاهش هزینه ها، کاهش توان مصرفی، افزایش سرعت و کم حجم و سبک شدن قطعه های الکترونیکی است. با وجود این مزایا، در کوچک سازی تدریجی ترانزیستورهای مرسوم محدودیت های فیزیکی آشکار می شود و اثرات ناخواسته ای از جمله تغییر ولتاژ آستانه، افزایش جریان نشتی، کاهش سد پتانسیل با القای درین، کاهش شیب زیر آستانه، کاهش سرعت کلید زنی و محدودیت روی ویژگی های رانش الکترون در رفتار ترانزیستورها مشاهده می شود که بعضی از این آثار تحت عنوان اثرات کانال کوتاه بیان می شوند. درواقع به دلیل این اثرات کوتاه کانال، کوچک سازی ترانزیستورها با چالش مواجه شده است. برای رفع این مشکل، می توان از ترانزیستورهای ماسفت دو گیتی استفاده نمود. در این تحقیق مروری بر ترانزیستور های دو گیتی دو ماده ای صورت پذیرفت. مدل های موجود برای این ترانزیستور مورد بررسی قرار گرفته و تابع پتانسیل سطحی برای این ترانزیستور مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان داد که برای ترانزیستورهای دو گیتی، تا کنون مدل های مختلفی که بر مبنای پتانسیل سطحی آنالیتیک و بار جریان درین می باشند منتشر شده است اما توسعه ی مدل جریان درین آنالیتیک مناسب برای این ترانزیستورها هنوز در مرحله ی تحقیق قرار دارد.