|
|
|
|
بررسی اثر پوشش محلول آبی آمونیوم فلوراید بر ساختار لایه نازک دی اکسید قلع برای استفاده به عنوان لایه‌ی انتقال دهنده‌ی الکترون در ادوات اپتوالکترونیک
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
وزوانی حسن آبادی مهدی ,هاشمی مریم ,قریشی سید محمدباقر
|
|
منبع
|
بيست و نهمين كنفرانس اپتيك و فوتونيك ايران و پانزدهمين كنفرانس مهندسي و فناوري فوتونيك ايران - 1401 - دوره : 29 - بیست و نهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و پانزدهمین کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران - کد همایش: 01221-87935 - صفحه:0 -0
|
|
چکیده
|
در این تحقیق از ماده ی sno2برای ساخت یک لایه نازک انتقال دهنده‌ی الکترون برای استفاده در ادوات اپتوالکترونیک استفاده شد. ویژگی های اپتیکی مانند عبور و گاف انرژی و ویژگی های ریخت شناسیمورد نظر مانند ضخامت ، کیفیت پوششی و زاویه تماس اندازه گیری شدند.سپس اثر محلول nh4f بر خواص یاد شده مد نظر قرار گرفت.تغییرات بدست آمده مطابق باپیش نیاز های لایه ی انتقال دهنده ی الکترون در ادوات اپتوالکترونیک بود.
|
|
کلیدواژه
|
لایه نازک،دی اکسید قلع،آمونیوم فلوراید،اپتوالکترونیک،انتقال دهنده ی الکترون
|
|
آدرس
|
, iran, , iran, , iran
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
investigating the effect of ammonium fluoride aqueous solution coating on the structure of tin dioxide thin layer for use as electron transporter layer in optoelectronic devices
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
Abstract
|
in this research, sno2 material was used to make a thin layer of electron carrier for use in optoelectronic devices. optical properties such as transmission and band gap and desired morphological properties such as thickness, surface coating quality and contact angle were measured. then the effect of nh4f solution on the mentioned properties was re-examined. the obtained changes were in accordance with the prerequisites of the electron transporter layer in optoelectronic devices.
|
|
Keywords
|
thin film ,tin dioxide ,ammonium fluoride ,optoelectronic ,electron transport layer
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|