کاربرد لایه نقص غیرخطی نیمه هادی ژرمانیوم آلاییده در بلور فوتونی یک بعدی متقارن

در این مقاله از نیم رسانای غیرخطی ژرمانیوم آلاییده نوع n، به عنوان لایه نقص درون یک بلور فوتونی یک بعدی و متقارن استفاده شده که ضریب شکست آن وابسته به شدت و چگالی تراز دهنده است. سایر لایه­ های خطی بلور که سلول­های دوطرف لایه نقص را تشکیل می­دهند از سیلیس (sio2) و سلنید روی (znse) تشکیل شده که هر سه محیط در محدوده امواج تابشی فروسرخ شفاف­اند. به طور نظری، علاوه بر مشاهده دوپایداری ناشی از لایه غیرخطی، تاثیر شدت نور تابشی بر طیف عبوری و آستانه دوپایداری، تاثیر تغییرات زاویه تابش نور و تاثیر تغییر چگالی ذرات در تراز دهنده مورد بررسی قرار گرفته‌اند. می­توان نتیجه گرفت که با در نظر گرفتن غیرخطی بودن لایه نقص، دوپایایی علاوه بر شدت نور فرودی، به زاویه برخورد نور با کریستال و چگالی ذرات دوپینگ وابسته است ولی تاثیر شدت نور بر دوپایایی از سایر موارد بیشتر است.

application of nonlinear defect layer of doped germanium semiconductor in symmetric one-dimensional photonic crystal

in this article, an n-type doped germanium nonlinear semiconductor is used as a defect layer inside a one-dimensional and symmetric photonic crystal, whose refractive index depends on the intensity and doping density. other linear layers of the crystal that form the cells on both sides of the defect layer are composed of silica (sio2) and zinc selenide (znse), which are transparent in the range of infrared radiation waves. theoretically, in addition to observing the bistability caused by the nonlinear layer, the effect of the radiation intensity on the transmission spectrum and the bistability threshold, the effect of changes in the angle of light irradiation and the effect of changes in the doping density have been investigated. it can be concluded that by considering the nonlinearity of the defect layer, bistability depends on the incident light intensity, the incident angle of light, and the density of particles, but the effect of light intensity on bistability is more than other cases.