بررسی خواص الکترونی و اپتیکی تالیوم نیترید (tln) در فاز ورتسایت با استفاده از نظریه تابعی چگالی

امروزه آشکاسازهای نوری مادون قرمز به دلیل عمق نفوذ بالای نور مادون قرمز بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. از اینرو نیمه هادی­هایی که دارای گاف نواری بسیار باریک می­باشند می­توانند به عنوان مواد فتواکتیو در کاربردهای آشکارسازهای نور ir مورد استفاده قرار گیرند و تالیوم نیترید در فاز ورتسایت دارای گاف نواری باریکی بوده و می­تواند گزینه مناسبی برای این منظور باشد. به همین منظور با استفاده از کد wien2k در تقریب gga(pbe) به محاسبه گاف نواری ، ثابت دی الکتریک، ضریب جذب، رسانندگی اپتیکی، ضریب شکست، ضریب خاموشی، بازتابندگی انرژی و تابع اتلاف انرژی تالیوم نیترید در هر دوجهت e||c ( میدان الکترکی موازی با محور c ) c⊥e (میدان الکتریکی عمود بر محور c) پرداختیم.

the investigation of electronic and optical properties of tln in wurtzite phase by density function theory

infrared photodetectors have gained attention because of its high penetration depth of ir light. narrow band gap semiconductors can function as photoactive materials in ir photodetector applications. herein, the tln in wurtzite phase is proposed because the tln has narrow band gap and is a good candidate. we calculated the band gap, dielectric function, absorption coefficient, optical conductivity, refraction index, extinction index, reflectivity, and energy loss function of the tln within gga (pbe) approximation by wien2k code in both directions e||c (electric field parallel to c axis) and e ⊥ c (electric field perpendicular to c axis).