افزایش کارایی سلول‌ خورشیدی سیلیکونی ناهمگون با استفاده از لایه امیتر a-sige:h و درجه‌بندی آلایش آن

در این مقاله، تاثیر درجه‌بندی آلایش لایه‌ی امیتر a-sige:h بر روی عملکرد یک سلول خورشیدی سیلیکونی ناهمگون بررسی شده است. لایه امیتر a-si:h به دلیل ضریب جذب بالا، چگالی نقص بالا و رسانایی کم، عملکرد سلول خورشیدی را بدتر می‌کند. در این مقاله  با جایگزین کردن لایه‌ی a-sige:h با لایه a-si:h، و درجه‌بندی آلایش این لایه، توانستیم بازدهی ساختار را بهبود ببخشیم. مشخص شده است که با جایگزینی لایه امیتر a-sige:h با لایه a-si:h و درجه‌بندی آلایش آن، بازدهی به اندازه‌ی 01/3% و ضریب پرشدن به اندازه‌ی 26/5% و ولتاژ مدار باز به اندازه‌یmv  28 و چگالی جریان اتصال کوتاه به اندازه‌ی ma/cm2 1/86، نسبت به ساختار بدون درجه‌بندی آلایش و بدون لایه بافر افزایش می‌یابد. تحت شرایط جهانی am 1.5، سلول بهینه‌شده دارای ولتاژ مدار باز 72/0ولت، چگالی جریان اتصال کوتاه ma/cm2 66/32 و ضریب پر شدگی 86/82% و بازدهی 51/19% می‌باشد.

increasing the efficiency of heterojunction silicon solar cells using a-sige:h emitter layer and its doping grading

in this paper, the effect of the doping grading of the a-sige:h emitter layer on the performance of a heterojunction silicon solar cell is investigated. the a-si:h emitter layer deteriorates the solar cell performance due to its high absorption coefficient, high defect density and low conductivity. in this article, we were able to improve the efficiency of the structure by replacing the a-sige:h layer with a-si:h layer, and doping grading of this layer. it has been determined that by replacing the a-sige:h emitter layer with a-si:h layer and its doping grading, the efficiency is 3.01%, the filling factor is 5.26%, the open circuit voltage is 28 mv, and the short circuit current density is 1.86 ma/cm2 increases compared to the structure without doping grading and without buffer layer. under global am 1.5 conditions, the optimized cell has an open circuit voltage of 0.72 v, a short circuit current density of 32. 66 ma/cm2, a filling factor of 82.86% and an efficiency of 19.51%.