|
|
اثر پارامترهای لیزر بر بازده هماهنگ مراتب بالا از برهمکنش با نیم رسانای دی سلنیدتنگستن
|
|
|
|
|
نویسنده
|
فقیه لطیف راضیه ,صادقی فراز امین ,ایرانی الناز
|
منبع
|
بيست و نهمين كنفرانس اپتيك و فوتونيك ايران و پانزدهمين كنفرانس مهندسي و فناوري فوتونيك ايران - 1401 - دوره : 29 - بیست و نهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و پانزدهمین کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران - کد همایش: 01221-87935 - صفحه:0 -0
|
چکیده
|
چکیده - در این پژوهش طیف هماهنگ مراتب بالا برای ساختار نیم رسانای دی سلنید تنگستن با بکار بردن رهیافت تابعی چگالی وابسته به زمان مطالعه شده است که در آن ابتدا هماهنگ قطع به ازای تغییر دامنه میدان الکتریکی بررسی شده است که نتایج نشان می دهد به ازای افزایش دامنه میدان الکتریکی هماهنگ قطع به صورت خطی افزایش می یابد. سپس با بررسی اثر تغییر طول موج بر بازده هماهنگ مراتب بالا ملاحظه گردید بازده هماهنگ مراتب بالا در بازه تا 4 الکترون ولت به صورت نمایی کاهش می یابد.
|
کلیدواژه
|
بازده هماهنگ مراتب بالا، تولید هماهنگ مراتب بالا،کریستال دی سلنید تنگستن، نظریه تابعی چگالی وابسته به زمان
|
آدرس
|
, iran, , iran, , iran
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
effect of laser parameters on high harmonic yield via interaction with wse2 semiconductor
|
|
|
Authors
|
|
Abstract
|
abstract - in this research, the high harmonic generation spectrum for the tungsten diselenide semiconductor structure has been studied using the time-dependent density-functional theory, which the results show the measured high-energy cutoff as a function of the drive-laser field. we find that the cutoff frequency behaves linearly by increasing the driving laser field. then, by exploring the effect of laser wavelength on the high harmonic yield, it is observed that with increasing the laser wavelength the harmonic yield decreases exponentially in the range of 2 to 4 ev.
|
Keywords
|
high harmonic generation ,harmonic yield ,time dependent density functional theory ,tungsten diselenide semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|